技术编号：29634073
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。nmos结构、制备方法及半导体器件技术领域.本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种nmos结构、制备方法及半导体器件。背景技术.随着微电子技术向更高性能发展，互补金属氧化物半导体(complementarymetal oxide semiconductor，cmos)集成工艺技术引入诸多新技术，其中在nm 节点引入应变硅技术，应变硅技术已经成为集成电路领域一项能够确实提高晶体管性能的技术。众所周知，在n型金属-氧化物-半导体(n-metal-oxide-semiconductor，...
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