技术编号:2966890
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子体刻蚀装置,特别是一种反应气体温度可控的等离子体刻蚀装置的排气环。背景技术 等离子刻蚀设备用于加工制造微电子芯片,进而形成微电子电路,该生产流程称之为干法刻蚀。一般而言,干法刻蚀需要在反应腔室内形成等离子体,因此需要在反应腔室上部介质窗施加射频,使得进入反应腔内的工艺气体激发成等离子体,进而进行微电子芯片加工。由于反应腔室的组成材料一般为铝,尽管反应腔室表面已经做了表面处理(一般为阳极氧化处理),仍然会通过与反应气体等离子体反应,造成设备零...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。