技术编号：29788512
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.与本发明构思的示例实施方式一致的装置和方法涉及半导体器件结构，更具体地，涉及具有交叉的多堆叠(multi-stack)纳米片结构的半导体器件结构。背景技术.对半导体器件的小型化的日益增长的需求已经引入纳米片晶体管，纳米片晶体管的特征在于：多个纳米片层，桥接形成在其两端处的源极/漏极区；以及栅极结构，完全地环绕纳米片层的所有侧面。这些纳米片层用作电流在纳米片晶体管的源极/漏极区之间流动的多个沟道。由于这种结构，除了在包括纳米片晶体管的半导体器件中更高的器件密度之外，还能够改善对流过所述多个沟...
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