技术编号：2980389
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。二次电子装置及使用其的离子注入机本发明一般地涉及二次电子装置，并且更具体地涉及用于中和离子注入过程中离子束所携帯的正电荷的二次电子装置。背景技木在电子エ业中，离子注入现在已经成为了微电子エ艺中的ー种重要的掺杂技木，在当代制造大規模集成电路中可以说是ー种必不可少的手段。离子注入的方法就是在真空中、低温下，使杂质离子加速，获得很大动能的杂质离子即可以直接进入半导体中。离子注入的杂质浓度分布一般呈现为高斯分布，并且浓度最高处不是在表面，而是在表面以内的一定深度处...
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