技术编号：29848477
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种通孔。本发明还涉及一种通孔的制造方法。背景技术.在nm技术节点的工艺制程流程中，通孔的硅化物采用tisi层，tisi层通常是采用硅化物后形成(silicide last)工艺形成，这种硅化物后形成工艺中，通孔的金属层填充步骤包括：.在进行选择性刻蚀形成通孔开口后，先形成一层ti层，在通孔开口的底部表面，ti层会直接和硅衬底的表面接触，之后再形成胶水层(glue layer)；胶水层通常采用tin层，胶水层会在后续的钨层的形成过程中作为阻...
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