技术编号：29852414
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域技术，具体涉及一种双掺杂量子点有源区外延结构及其制备方法和应用。背景技术.光通信系统是现代信息社会的重要基础设施，随着云计算、万物互联、虚拟现实等新业务的不断发展，光通信系统的流量呈指数式增长，其耗电量也爆发式增长。半导体激光器是光纤通讯系统的核心部件，巨大的数据量和耗电量对其提出了高速率、低功耗、低成本的需求。量子点材料由于在三个维度上的尺寸都接近电子的德布罗意波长，因此具有和原子近似的分立的能级，其态密度为δ函数的形式。半导体量子点激光器展现出了低阈值电流密度、...
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