技术编号：2986343
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及激光加工，尤其是涉及抽吸和容纳在激光加工过程中 释放的有害物质。背景技术常规的，切割晶片以及其它半导体是由机械式划片机完成的。采 用机械锯的缺点是由在晶片上的锯齿产生的机械应力可导致产量降 低，以及由锯齿形成的较大的划痕。采用激光可提高产量，而且也减 少划痕的宽度或者在晶片上的装置之间的间隔，从而增加每片晶片上 的装置的数量。由间隔宽度减小所带来的好处对于相对于装置尺寸而 言划痕尺寸大的装置意义重大。在诸如砷化镓的晶片的生产上，常规采用化学工艺或...
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