技术编号:29930481
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及气体制备的技术领域,尤其是涉及一种高纯气体制备装置及制备方法。背景技术.工业上经常会用到高纯气体,比如晶圆级半导体在蚀刻工艺中就会经常用到砷烷气体(ash),传统的砷烷制备方法通常是采用二砷化三锌与稀硫酸反应,用化学电解法获得到。.相关技术中,在公告号cnu的一篇专利文件中,记载了一种砷烷电解装置。装置包括电解槽、具有通过离子半透膜隔离的阴极室和阳极室,阴极室电解产生砷烷和氢气,阳极室电解产生氧气,阴极气体输送管路,与阴极室相连;阳极气体输送管路,与阳极室相...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。