技术编号:29938022
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种半导体结构及其形成方法。背景技术.动态随机存储器(dynamic random access memory,dram)因具有体积小、集成化程度高及传输速度快等优点,被广泛应用于手机、平板电脑等移动设备中。电容器作为动态随机存储器的核心部件,主要用于存储电荷。.通常在制造电容器的过程中,受刻蚀工艺限制,使得半导体衬底边缘区域在形成电容结构中的孔洞过程中,由于膜层未被刻蚀至暴露衬底,使得在后续向孔洞中沉积电容材料后导致电容材料剥落,形成缺陷,影响半...
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