技术编号:29948354
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体装置的制造方法.本申请是基于申请日为..的中国国家申请号(pct/jp/)申请(半导体装置的制造方法)的分案申请,以下引用其内容。技术领域.本发明涉及半导体装置的制造方法。背景技术.当前,如下述的专利文献、所示,关于金属膜的湿式蚀刻,已知对蚀刻速率的变化进行抑制的各种技术。.专利文献:日本特开-号公报.专利文献:日本特开-号公报发明内容.在半导体制造工艺中,使用氨过氧化氢...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。