技术编号:29961638
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种sic衬底双脉冲飞秒激光切片的方法技术领域.本发明属于半导体技术领域,涉及碳化硅的切割,尤其涉及一种sic衬底双脉冲飞秒激光切片的方法。背景技术.随着科学技术的发展,人们对于电子器件的要求也越来越高,高温、高频、抗辐射及大功率成为最基本的需求。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性,在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。而sic是第三代半导体的典型代表,但是其硬度非常高,莫氏硬度为.级,仅次于金刚石(级),不易切割。现有...
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