技术编号:30059843
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明半导体技术领域,尤其涉及一种半导体结构。背景技术.由于高性能集成电路需要在较高频率下以较低电源电压提供较大电流,因此电源系统的设计日益成为一项挑战。可以采用去耦电容器作为临时电荷储存器,以防止电源电压的瞬时波动。去耦电容器对于降低数字电路(例如微处理器)中的电源噪声越来越重要,该数字电路包括许多在开和关状态之间交替的晶体管。.尽管现有的半导体结构通常是足够的,但是它们在各个方面都不是令人满意的。例如,因为必须将多个电容器用于不同的电源域(power domain),集成去耦电容器具...
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