技术编号:30126734
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本公开涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体器件。背景技术.随着科技的飞速发展,半导体器件在社会生产和生活中获得了越来越广泛的应用。然而,现有的半导体器件无法同时拥有浪涌防护能力和低电容特性。发明内容.本公开的目的在于提供一种半导体器件,能够使半导体器件具有浪涌防护能力和低电容特性。.根据本公开的一个方面,提供一种半导体器件,包括:.瞬态抑制芯片;.低电容芯片,包括第二二极管和第三二极管,所述第二二极管的输出端与所述第三二极管的输入端连接,所述第三二极管的输出端与所述第二二极管的输...
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