技术编号：30155917
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及hemt器件结构技术领域，尤其涉及一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构。背景技术.氮化镓(gan)材料作为第三代半导体，具有远超硅的临界击穿电场(mv/cm)和电子峰值速度(×cm/s)，在大功率、高频领域有广泛的应用前景。近来一种基于氮化镓的高电子迁移率晶体管的器件(hemt,high electron mobility transistor)被提出。.氮化镓高电子迁移率晶体管，利用氮化镓与铝镓氮异质结由于能带不匹配而形成的量子阱中的二维电子气导电。然而，由于...
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