技术编号：30168929
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种基于外延沟道的mosfet器件及其制备方法技术领域.本发明属于微电子技术领域，涉及一种基于外延沟道的mosfet器件及其制备方法。背景技术.碳化硅(sic)以其优良的物理化学特性和电学特性成为制造高温、大功率电子器件的一种最有优势的半导体材料，并且具有远大于si材料的功率器件品质因子。sic mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金氧半场效晶体管)功率器件的研发始于世纪年代，具有输入阻抗高、开关速度快、工...
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