技术编号:30228238
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体技术领域,具体涉及一种半导体器件及形成方法。背景技术.半导体器件在制备衬底材料时为了避免在晶圆加工过程中出现碎片,通常将衬底材料制备的较厚,一般衬底材料的厚度要大于μm,从而大大提高衬底材料的抗物理冲击性能,避免碎片。.然而,较厚的衬底材料会带来材料的损耗,导致材料成本及晶圆加工成本较高。发明内容.鉴于此,本申请提供一种半导体器件及形成方法,以解决现有的半导体器件由于衬底材料较厚带来的材料损耗,导致材料成本及晶圆加工成本较高的问题。.本申请提供的一种半导体器件的...
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