技术编号：30233811
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及互连技术领域，诸如穿过晶粒或硅晶圆的垂直电连接、通孔，包括硅通孔(through-silicon via,tsv)。背景技术.在电子工程中，诸如引线接合和倒装芯片的高性能互连技术用于产生d封装和d集成电路。硅通孔tsv是穿过硅晶圆或晶粒的垂直电连接或通孔。tsv允许更高的器件密度，并且连接长度变得更短。硅通孔结构通常是先进封装应用中的新颖应用和创新设计的关键促成因素。通常，tsv用于实现不同功能(诸如存储器和逻辑)的芯片之间的连接。.d ic制造过程可以涉及以下基本步骤，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。