技术编号:30412518
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种着陆焊盘和dram的形成方法技术领域.本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种着陆焊盘和dram的形成方法。背景技术.存储器是数字系统中用以存储大量信息的设备或部件,是计算机和数字设备中的重要组成部分。存储器可分为随机存取存储器(ram)和只读存储器(rom)两大类。ram包括dram、pram、mram等,晶体管和电容器是制造这些ram的关键部件。.着陆焊盘(lp,landing pad)工艺是电容器形成过程的一部分。优化现有的着陆焊盘(landing pad)工艺以改善由于现有dra...
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