技术编号：30412637
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体生产工艺领域，特别涉及一种半导体结构的制备方法。背景技术.动态随机存取存储器(dynamic random access memory，简称dram)作为一种公知的半导体存储装置，目前被广泛使用于各种电子设备中。动态随机存取存储器(dram)由许多重复的存储单元(cell)组成，每一个存储单元主要由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容器所构成，且存储单元会排列成阵列形式，每一个存储单元通过字线(word line，简写为wl)与位线(bit line，简写为bl)彼此电性连...
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