技术编号：30433175
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。集成电路器件.相关申请的交叉引用.本申请基于并要求于年月日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.--的优先权，通过引用将其公开内容全部并入本文。技术领域.本发明构思涉及集成电路器件，并且更具体地，涉及包括场效应晶体管的集成电路器件。背景技术.随着集成电路器件的小型化的快速发展，有必要确保集成电路器件操作的准确性及其快速操作速度。随着集成电路器件的集成密度的增加及其尺寸的减小，需要开发一种新的结构来提高纳米片场效应晶体管的性能和可靠性。发明内容...
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