技术编号:3047814
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于制造双面接触的太阳能电池的方法,该方法基于具有介电层的晶圆的微结构化和被微结构化的区域的掺杂。随后实现含金属的成核层的沉积以及接触的电镀加固。本发明还涉及能够以这种方式制造的太阳能电池。背景技术太阳能电池的制造与用于精密加工晶圆的大量工序相关联。这里包括发射极扩散、介电层的施加及其微结构化、晶圆的掺杂、接触、成核层的施加及其加厚。关于正面接触的微结构化,目前常见的应用是薄氮化硅层(SiNx)的微结构化。这些层就商业电池而言目前形成标准减反...
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