技术编号:30579566
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。使用沉积和去除进行的选择性层形成.本申请是分案申请,原申请的申请日为年月日、申请号为.、发明名称为“使用沉积和去除进行的选择性层形成”。.相关申请的交叉引用.本申请要求年月日提交的美国临时申请号/,的优先权,所述美国临时申请的公开内容以全文引用的方式并入本文中用于所有目的。技术领域.本公开总体上涉及半导体器件制造领域,并且更具体地说,涉及采用膜沉积和去除来选择性形成层。背景技术.在半导体行业中,对选择性工艺的需求日益增...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。