技术编号:30592721
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明实施例涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。背景技术.mos晶体管是现代集成电路中最重要的元件之一。mos晶体管的基本结构包括:半导体衬底;位于半导体衬底表面的栅极结构,位于栅极结构一侧半导体衬底内的源区和位于栅极结构另一侧半导体衬底内的漏区。在上述mos晶体管的制造流程中,由于栅极结构会直接影响到mos晶体管的主要电学性能,因此,在工艺过程中需特别关注栅极结构的各项指标。.随着集成电路制造技术的不断发展,人们对集成电路的集成度和性能的要求变得越来越高。为了提高集...
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