技术编号:30622291
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。嵌入式sonos闪存ono层的制造方法技术领域.本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种嵌入式sonos闪存ono层的制造方法。背景技术.嵌入式闪存(embedded flash,e-flash)是把闪存嵌入到cmos(complementary metal-oxide-semiconductor transistor)上,形成soc(system on a chip)。嵌入式sonos(silicon-oxide-nitride-oxide-silicon)闪存是基于现有逻辑平台将sono...
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