技术编号：30642411
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种采用立式炉管的半导体热处理方法及立式炉管。背景技术.在半导体制造过程中，尤其是半导体热处理工艺中，立式炉由于其占地面积小，处理效率高得到广泛的应用。立式炉中通常采用立式晶舟作为承载工具，用于晶圆或芯片的传送及加工。一般的晶舟材质采用石英或碳化硅材料，适用于不同温区的热处理工艺。.低压化学气相沉积(lpcvd)作为一种常用的半导体热处理工艺，广泛用于氧化硅、氮化物、多晶硅等膜层的沉积。现有技术中的半导体热处理方法及立式炉管，存在一定的缺陷。现有技术中在处理...
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