技术编号：30705630
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请的实施例涉及形成半导体器件的方法。背景技术.由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的这种提高来自最小部件尺寸的反复减小，这允许将更多组件集成至给定区域。.鳍式场效应晶体管(finfet)器件变得普遍用在集成电路中。finfet器件具有包括从衬底突出的半导体鳍的三维结构。配置为控制finfet器件的导电沟道内的电荷载流子的流动的栅极结构包裹半导体鳍。例如，在三栅极finfet器件中，栅极结构包裹...
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