技术编号：30746543
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及化学刻蚀技术领域，尤其是涉及一种光刻胶剥离液及其制备方法。背景技术.光刻工艺是半导体以及显示领域制造中最为重要的步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片或者其它衬底上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。在光刻过程中，需在衬底上涂一层光刻胶，经紫外线曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，在通过显影后，被曝光的正型光刻胶(负型光刻胶为未曝光区被显影去除)将被去除，从而实现将电路图形由掩膜版转移到光刻胶上。再经过刻蚀过程，实现电路图形由光刻胶转移到衬底上。完成上述图案化转移之...
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