技术编号:30753922
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种基于电化学刻蚀出mxene的方法、mxene悬浊液及其用途技术领域.本发明属于二维材料制备领域,特别是涉及电化学刻蚀制备mxene的方法、mxene悬浊液及其用途。背景技术.mxene是一种新兴的二维材料,研究最广泛的为tictx。可以用一般公式mnxntx表示,其中m表示早期过渡金属,x表示c和/或n,tx表示端接官能团,包括-oh、-o和/或-f等多种表面官能团,n=~。max的层与层之间是依靠强的共价键或金属键保持在一起,mxene是通过从max相中选择性蚀刻a族元素(...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。