技术编号:30766280
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明实施例涉及半导体技术,且特别涉及集成芯片及其形成方法。背景技术.许多现代电子装置包含非易失性存储器。非易失性存储器是能够在断电情况下存储数据的电子存储器。下一代非易失性存储器的一个有潜力的候选者是铁电随机存取存储器(ferroelectric random-access memory, feram)。铁电随机存取存储器具有相对简易的结构,且与互补式金属氧化物半导体(complementary metal–oxide–semiconductor,cmos)逻辑及薄膜晶体管制造过程相容。...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。