技术编号：30835338
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及光电技术领域，特别涉及一种外延片制备方法、外延片及发光二极管。背景技术.四元系algainp(磷化铝镓铟)是一种具有直接跃迁宽带隙的半导体材料，已广泛应用于多种光电子器件的制备。由于此材料发光波段可以覆盖可见光的红光到黄绿光波段，由此制成的可见光高亮度发光二极管(led)受到广泛关注。四元系algainp高亮度发光二极管已大量应用于户外显示、交通灯、汽车用灯、指示灯等许多方面。.由于algainp与gaas(砷化镓)之间的晶格匹配度较好，通常选用gaas作为外延衬底材料，但是g...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。