技术编号：30880289
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。抗辐照加固硅pnp双极型晶体管及其制备方法技术领域.本发明涉及一种抗辐照加固硅pnp双极型晶体管及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。背景技术.随着空间技术的发展，各种电子设备已经广泛用于航天器中。由于电子元器件会长时间处于空间辐射中，而辐射作用使得元器件性能退化、可靠性变差，会使整个电子设备发生故障，导致各种装备失灵，因此对电子元器件的抗辐照能力提出了更高的要求。.空间带电粒子入射到电子元器件后，产生电离作用，从而造成总剂量损伤。电离损伤是指入射粒子引起的材料中的靶原子电离和核外电子...
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