技术编号:30908104
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本揭露内容是有关于一种半导体元件及其形成方法,特别是关于一种具有隔离沟槽的半导体元件及其制造方法。背景技术.晶体管是现代集成电路的元件。为了满足越来越快速度的需求,晶体管的驱动电流是越来越大。为达到此效能的提升,晶体管的栅极长度不断缩小。然而,缩小栅极长度导致不期望的影响(如“短通道效应”),使栅极的对电流的控制受到损害。短通道效应中有漏极导致通道能障降低(drain-induced barrier lowering,dibl)及次临限斜率降低,两者均导致晶体管效能下降。发明内容.本揭露...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。