技术编号：30927530
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。euv光掩模基版、euv光掩模版及其制造方法、衬底回收方法技术领域.本发明涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种euv光掩模基版、euv光掩模版及其制造方法、衬底回收方法。背景技术.随着集成电路制造工业的不断发展，例如极紫外光刻(extreme ultraviolet lithography，简写为euvl)等先进光刻技术已被广泛用。其中，euv光掩模版(photo mask)是光刻工艺中的重要组件。光刻工艺通常是，先在晶圆表面涂布光阻等光致抗蚀剂层，在光致抗蚀剂层干燥后，通过曝光设备将eu...
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