技术编号:30953571
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体结构的形成方法。背景技术.目前,在半导体器件的后段(back end of line,简称beol)工艺中,制作半导体集成电路时,半导体器件层形成之后,需要在半导体器件层之上形成金属互连层,每层金属互连层包括金属互连线和层间介质层(inter-layer dielectric,简称ild),这就需要对上述层间介质层制造沟槽(trench)和连接孔(via),然后在上述沟槽和连接孔内沉积金属,沉积的金属即为金属互连线。.然而,在制造沟槽和连接孔的...
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