技术编号:30965451
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明实施例涉及半导体装置,尤其涉及形成自对准掩模层于源极/漏极结构上的方法。背景技术.由于多种电子构件的集成密度持续改善,半导体产业已经历连续的快速成长。集成密度的主要改善来自于持续减少最小结构尺寸,已将更多构件整合至给定的芯片面积中。随着最小结构尺寸缩小,形成外延源极/漏极结构所用的硬掩模的图案化步骤的挑战性越来越高。发明内容.本发明一些实施例提供半导体装置,包括第一源极/漏极结构;外延衬垫层,形成于第一源极/漏极结构上;第二源极/漏极结构;以及接点蚀刻停止层,形成于第一源极/漏极结...
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