技术编号：30973970
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体材料的合成方法的领域，具体涉及一种二碘硅烷的制备方法及装置。背景技术.高纯二碘硅烷在高端半导体芯片中扮演着越来越重要的角色，其作为化学气相沉积的硅源，可以在温度更低、压力操作更可控的情况下通过气相反应cvd(chemical vapor deposition)和单原子层沉积ald(atomic layer deposition)方法来在众多种类的半导体基材上沉积硅化膜。二碘硅烷以其独特的优势，广阔的市场前景受到广泛关注。但是现有的高纯二碘硅烷合成方法复杂且危险，从而严重的限...
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