技术编号：30983813
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请属于半导体器件技术领域，尤其涉及一种低阻沟槽型碳化硅晶体管及其制造方法。背景技术.功率金属氧化物半导体场效应管（metal-oxide-semiconductor field effect transistor，mosfet）有三个管脚，分别为栅极（gate）、漏极（drain）和源极（source）。功率mosfet为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的mosfet的结构有横向双扩散型场效应晶体管ldmos（lateral doubl...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。