技术编号:30997435
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体元件的制造方法以及半导体装置。背景技术.在专利文献中记载了使用由sio构成的掩模通过elo(epitaxial lateral overgrowth,横向外延过生长)法来制作gan系半导体的半导体元件的制造方法。.在先技术文献.专利文献.专利文献:jp专利第号公报发明内容.发明要解决的课题.在使用sio等含si的生长掩模通过elo(epitaxial lateral overgrowth,横向外延过生长)法来制作gan系半导体的情况下,存在发...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。