技术编号:31000892
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型属于晶体制备技术领域,具体涉及一种直拉单晶炉热场结构。背景技术.现有技术单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。多晶体硅料经加热熔化,待硅料全熔化完全后,经过籽晶浸入、熔接,引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤,完成一根单晶棒的拉制。目前,单晶拉制过程中,加热器的上沿到导流筒的下沿的高度h,对拉制单晶影响很大,会影响单晶的成品率。在籽晶浸入前,会将导流筒随着水冷屏一起下降,当下降到一定高度后,无法继续下降。可见,一...
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