技术编号:31057839
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及压敏陶瓷技术领域,并且更具体地,涉及一种用于分析压敏陶瓷缺陷分布的方法及系统。背景技术.压敏陶瓷晶界处的双肖特基势垒是其压敏特性的起源,决定着陶瓷的电气性能和运行稳定性。双肖特基势垒由晶界处带负电的受主缺陷界面态和晶粒中的施主缺陷耗尽层形成。目前的研究主要针对缺陷的识别及其浓度表征,但未能涉及各种缺陷分布的检测。发明内容.针对上述问题,本发明提出了一种用于分析压敏陶瓷缺陷分布的方法,包括:.将不同掺杂量或制作工艺的压敏陶瓷冷却至第一设定温度,测量所述压敏陶瓷在设定频率范围内的...
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