技术编号：31062951
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请属于微电子技术领域，尤其涉及一种多沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法。背景技术.碳化硅结势垒肖特基二极管是融合pn结和肖特基结的器件，其基本元胞结构是在个pn结之间插入肖特基结，通过个pn结夹断电场，降低肖特基结处的电场强度，使碳化硅结势垒肖特基二极管具备较低的反向恢复时间及超软的恢复特性，被广泛应用在电源领域中。随着对碳化硅结势垒肖特基二极管的需求越来越广泛，对碳化硅结势垒肖特基二极管的性能也提出了相应要求。其中，如何有效提升碳化硅结势垒肖特基二极管的电流密度是目前需要...
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