技术编号:31080103
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种全隔离n型ldmos器件及其制备方法技术领域.本发明属于半导体技术,涉及半导体集成电路制造领域,尤其涉及一种全隔离n型ldmos器件(fully isolated lateral double-diffusion metal oxide semiconductor field effect transistor,全隔离横向双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管)及其制备方法。背景技术.随着功率集成电路的发展,bcd工艺已经成为了主流的功率器件制备技术,ldmos也由于其耐压能力强、驱动电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。