技术编号:31120954
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种砷化镓太阳能电池的制备方法。背景技术.砷化镓太阳电池虽然具有转化效率高、温度特性好、耐辐照性能强和重量轻等优点,但其制作成本也较高。砷化镓太阳电池芯片制作工艺流程中,背电极蒸镀前的背面腐蚀和减反膜制备是两个必须的步骤。在传统工艺中,相关步骤的工序如下:.()背面腐蚀和背电极金属层蒸镀:由于电池衬底在进行外延生长过程中,会不可避免的在衬底背面沉积一层杂乱的金属化合物薄层,此外延薄层若不去除,将极大的影响电池性能,故在衬底背面蒸镀背电极之前,需要先...
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