技术编号:31166685
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种近红外表面等离激元近场增强型高迁移率晶体管探测器,属于半导体器件技术领域。背景技术ⅲ族氮化物是典型的宽禁带半导体材料,作为第二代半导体材料的代表是仅次于硅的半导体材料之一,而其中gan在光电子学和电力电子学中都有广泛的应用。gan高迁移率场效应晶体管(high electrical mobility transistor,hemt)在各种电子设备中都有广泛应用,有望超越摩尔定律的极限。由于异质结中诱导二维电子气的高电子迁移率和材料的高临界电场,gan hemt不仅有...
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