技术编号:31183938
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种使用提拉法(czochralski method,以下,简称为“cz法”。)制造单晶硅的单晶硅的制造方法、通过该单晶硅的制造方法制造的单晶硅及硅晶片。背景技术.用作便携式设备的电力用器件的功率mosfet(metal oxide semiconductor field effect transistor:金属氧化物半导体场效应晶体管)在工作(导通)时的漏极和源极之间具有恒定的电阻值(将其称为“导通电阻”。)。因此,功率mosfet本身在工作中根据在内部流过的电流来消耗电力。...
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