技术编号：31187136
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种光罩及其设计方法。背景技术.在集成电路的制造中，特别在后段双大马士革沟槽结构制造工艺，由于前层图形疏密不均，容易出现填充材料涂布不均匀的现象。对于晶圆表面由于前层图形疏密分布不均或者薄膜沉积厚度差异，导致当层光刻填充材料涂布平坦度较差，光刻曝光时会因为曝光焦距固定而无法完全兼顾高低不平的光刻材料，导致曝光到晶圆上的部分图形出现离焦，影响产品良率。.如图所示，前层为密集图形区和孤立图形区当层的光阻涂覆截面图以及光刻曝光光路形成的扫描电子显微照片。由...
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