技术编号：31200652
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本实用新型涉及半导体生产设备技术领域，具体涉及一种石墨盘治具。背景技术.mocvd是以ⅲ族、ⅱ族元素的有机化合物和v、ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种ⅲ‑v 主族、ⅱ‑ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。当 mocvd设备在外延制程过程中，一般是通过石墨盘作为承载外延片的载具，但是在生产过程中会产生大量的附着物附着在石墨盘的表面，该附着物为ⅲ族元素的高纯金属有机化合物(mo源)和ⅴ族元素的氢化物经过高温、低压反应产生的易...
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