技术编号：31224877
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及晶体生长技术领域，尤其涉及一种减少铸造晶体硅中氮化硅杂质的方法和铸造晶体硅。背景技术.氮化硅涂层是铸造晶体硅（铸造单晶硅或铸造多晶硅）用坩埚的内壁上一层非常重要的涂层。这层氮化硅涂层主要具有两方面的作用：第一方面，氮化硅作为一种耐高温陶瓷材料，其在硅锭熔化的℃的高温下能够保持稳定，并且不与硅液发生反应。因此，氮化硅涂层隔离了硅液和石英坩埚直接接触，避免了其在高温下发生反应，防止了在降温时硅液粘锅导致的硅锭裂锭，坩埚破裂，甚至硅液流出等质量安全问题，也就是说，氮化硅作为脱模...
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