技术编号：31225636
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及碳化硅新材料技术领域，具体涉及一种双面刷洗机以及一种碳化硅晶片表面的清洗方法。背景技术.以sic为代表的第三代宽带隙半导体材料，是发展大功率、高频高温、抗强辐射蓝光激光器和紫外探测器等技术的核心。sic晶体具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低、化学稳定性好等特点，是电力电子领域si的首选替代品，在通信、汽车、航空、航天、石油开采以及国防等领域有着广泛的应用前景。.对于制作应用器件的碳化硅晶片表面洁净度要求非常高，在抛光后的晶片表面残留抛光液、...
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