技术编号：31326601
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本揭露是关于一种极紫外光刻设备以及一种极紫外光刻方法。背景技术.一种用于半导体制造的成长技术是极紫外(extreme ultraviolet,euv)光刻。euv光刻使用扫描仪，扫描仪使用电磁辐射的euv光谱中的光，波长包括从约纳米(nm)到约纳米。许多euv扫描仪仍然使用投影影印，投影影印类似于各种早期的光学扫描仪，除了euv扫描仪使用反射而不是折射光学元件(即使用反射镜而不是透镜)来实现投影影印。.euv光刻采用激光产生的电浆(lpp)，激光产生的电浆发射euv光。激光产生的...
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